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元件参数资料
>
参数目录43088
> 2SK2887TL MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
型号:
2SK2887TL
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Rohm Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
2SK2887TL PDF
产品目录绘图
CPT-3, D-PAK Series
特色产品
ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装
2,500
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
900 毫欧 @ 1.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
8.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
230pF @ 10V
功率 - 最大
20W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
CPT3
包装
带卷 (TR)
其它名称
2SK2887TL-ND
2SK2887TLTR
查看2SK2887TL代理商
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